5月3日，电光制造团队硕士研究生葛梦醒等人撰写的学术论文“The Research for Thickness Measurement of Deterioration Layer of Mono crystalline Silicon by Specific Crystallographic Plane Cutting of WEDM（电火花定晶向线切割单晶硅变质层厚度检测研究）”被SCI期刊Journal of Materials Science: Materials in Electronics收录。这是本团队2014级硕士研究生录用的第一篇SCI论文。

论文围绕制备定向单晶硅并检测硅片表面质量这一学术界重点关注的领域展开，提出了基于X射线回摆曲线法的电火花线切割后定晶向硅变质层厚度检测技术，首次实现了定晶向硅片表面变质层厚度的精确低成本测量。

               电火花线切割后单晶硅表面变质层实物图

  基于X射线回摆曲线法的单晶硅变质层厚度检测技术具有重要的学术价值，为后续电火花定晶向线切割硅片的变质层去除提供了估算的依据。葛梦醒的研究成果也得到了Journal of Materials Science: Materials in Electronics期刊审稿人的认可，并给出了高度评价：“This study shows an interesting method for the determination of deteriorated layer thickness of monocrystalline silicon. This methodology has good impact on silicon industry.”

高水平SCI论文写作是一场持久战。从去年9月份构思，到今年3月份投稿，再到5月初正式收录，一共经历了将近8个月的时间。其中最为艰苦的过程就是文章的修改与润色，包括大改和小改，前前后后一共返工了20多次。高水平的论文一半靠写作一半靠修改，“哪怕开始写得特别不好都不要放弃。”在谈到科研心得时，葛梦醒说，对于还处于入门阶段的同学来说，多跟师兄师姐做实验，也能从中得到不少的启发，“这是很必要的，我研一上学期就开始和丁浩师兄一起做实验了”，而这也为她迅速找到研究方向奠定了坚实的基础。